၁။ ဘိုင်ပိုလာ ဂျန့်ရှင် ထရန်စစ္စတာများ (BJTs):
(၁) ဖွဲ့စည်းပုံ-BJT များသည် base၊ emitter နှင့် collector ဟူ၍ electrode သုံးခုပါရှိသော semiconductor device များဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ကို အဓိကအားဖြင့် signal များကို ချဲ့ထွင်ခြင်း သို့မဟုတ် switching ပြုလုပ်ရန် အသုံးပြုကြသည်။ BJT များသည် collector နှင့် emitter အကြား ပိုမိုကြီးမားသော current စီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်ရန် base သို့ input current အနည်းငယ် လိုအပ်သည်။
(၂) BMS တွင် လုပ်ဆောင်ချက်- In ဘီအမ်အက်စ်အသုံးချမှုများတွင်၊ BJTs များကို ၎င်းတို့၏ လက်ရှိ amplification စွမ်းရည်များအတွက် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတို့သည် စနစ်အတွင်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်းကို စီမံခန့်ခွဲရန်နှင့် ထိန်းညှိရန် ကူညီပေးပြီး ဘက်ထရီများကို ထိရောက်စွာနှင့် ဘေးကင်းစွာ အားသွင်းပြီး အားကုန်စေရန် သေချာစေသည်။
(၃) ဝိသေသလက္ခဏာများ-BJT များသည် မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်း gain ရှိပြီး တိကျသော လျှပ်စီးကြောင်းထိန်းချုပ်မှု လိုအပ်သော အသုံးချမှုများတွင် အလွန်ထိရောက်မှုရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် ယေဘုယျအားဖြင့် အပူအခြေအနေများကို ပိုမိုထိခိုက်လွယ်ပြီး MOSFETs များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါပျံ့နှံ့မှုကို ခံစားရနိုင်သည်။
၂။ သတ္တု-အောက်ဆိုဒ်-တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လယ်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ထရန်စစ္စတာများ (MOSFETs):
(၁) ဖွဲ့စည်းပုံ-MOSFETs များသည် ဂိတ်၊ ရင်းမြစ် နှင့် ရေဆင်းဟူ၍ ဂိတ်သုံးခုပါရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် ရင်းမြစ်နှင့် ရေဆင်းကြား လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်ရန် ဗို့အားကို အသုံးပြုပြီး switching applications များတွင် အလွန်ထိရောက်မှုရှိစေသည်။
(၂) လုပ်ဆောင်ချက်ဘီအမ်အက်စ်:BMS အပလီကေးရှင်းများတွင် MOSFETs များကို ၎င်းတို့၏ ထိရောက်သော switching စွမ်းရည်အတွက် မကြာခဏ အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ခုခံမှုနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှု အနည်းဆုံးဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်သောကြောင့် လျင်မြန်စွာ ဖွင့်နိုင်ပိတ်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် ဘက်ထရီများကို overcharge၊ over-discharge နှင့် short circuits များမှ ကာကွယ်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေသည်။
(၃) ဝိသေသလက္ခဏာများ-MOSFETs များသည် input impedance မြင့်မားပြီး on-resistance နည်းပါးသောကြောင့် BJTs များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူပျံ့နှံ့မှု နည်းပါးပြီး ထိရောက်မှု မြင့်မားစေသည်။ ၎င်းတို့သည် BMS အတွင်း မြန်နှုန်းမြင့်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော switching အသုံးချမှုများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။
အနှစ်ချုပ်:
- BJT များ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်း အမြတ်ကြောင့် တိကျသော လျှပ်စီးကြောင်း ထိန်းချုပ်မှု လိုအပ်သော အသုံးချမှုများအတွက် ပိုကောင်းပါသည်။
- MOSFET များအပူပျံ့နှံ့မှုနည်းပါးပြီး ထိရောက်မြန်ဆန်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်မှုအတွက် ပိုမိုနှစ်သက်ကြပြီး ဘက်ထရီလည်ပတ်မှုများကို ကာကွယ်ရန်နှင့် စီမံခန့်ခွဲရန်အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ဘီအမ်အက်စ်.
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ ဇူလိုင်လ ၁၃ ရက်
