English ဘာသာစကား ပို

Battery Management Systems (BMS) ရှိ BJT နှင့် MOSFET အကြား ကွာခြားချက်များ

1. Bipolar Junction Transistors (BJTs):

(၁) ဖွဲ့စည်းပုံ၊BJT များသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း (Electrode) သုံးခုပါရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကိရိယာများဖြစ်သည့် အခြေခံ၊ ထုတ်လွှတ်သည့် ကိရိယာနှင့် စုဆောင်းသူ ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ကို အသံချဲ့စက် သို့မဟုတ် ကူးပြောင်းခြင်းအတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။ BJT များသည် စုဆောင်းသူနှင့် ထုတ်လွှတ်သူကြား ပိုကြီးသော လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်ရန် အခြေခံသို့ အသေးစား input လျှပ်စီးကြောင်း လိုအပ်သည်။

(၂) BMS ၏လုပ်ဆောင်ချက် In BMSအပလီကေးရှင်းများ၊ BJT များကို ၎င်းတို့၏ လက်ရှိချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းအတွက် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတို့သည် စနစ်အတွင်း လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို စီမံခန့်ခွဲရန်နှင့် ထိန်းညှိရာတွင် ကူညီပေးပြီး ဘက်ထရီများကို အားသွင်းပြီး ထိရောက်စွာ ဘေးကင်းလုံခြုံစွာ ဖယ်ရှားနိုင်စေရန် ကူညီပေးသည်။

(၃) လက္ခဏာများBJT များသည် မြင့်မားသော လက်ရှိအမြတ်ရရှိပြီး တိကျသော လက်ရှိထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်သော application များတွင် အလွန်ထိရောက်မှုရှိပါသည်။ ၎င်းတို့သည် ယေဘူယျအားဖြင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်သော အခြေအနေများအတွက် ပိုမိုထိခိုက်လွယ်ပြီး MOSFET များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါ dissipation ကို ခံစားရနိုင်သည်။

2. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs)-

(၁) ဖွဲ့စည်းပုံ၊MOSFET များသည် ဂိတ်ပေါက်၊ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းသုံးခုပါရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် source နှင့် drain များကြားရှိ လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်ရန် ဗို့အားကိုအသုံးပြုပြီး switching applications များတွင် ၎င်းတို့ကို မြင့်မားစွာ ထိရောက်မှုဖြစ်စေသည်။

(၂) လုပ်ဆောင်ချက်BMS:BMS အပလီကေးရှင်းများတွင် MOSFET များကို ၎င်းတို့၏ ထိရောက်သော ကူးပြောင်းနိုင်မှုစွမ်းရည်အတွက် မကြာခဏ အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းတို့သည် လျင်မြန်စွာ အဖွင့်အပိတ်လုပ်နိုင်ပြီး ခံနိုင်ရည်အနည်းဆုံးနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုဖြင့် စီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် ၎င်းတို့အား ဘက်ထရီအားပိုလျှံခြင်း၊ အားကုန်လွန်ခြင်းနှင့် ဆားကစ်တိုခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးခြင်းအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

(၃) လက္ခဏာများMOSFET များသည် မြင့်မားသော input impedance နှင့် on-resistance နည်းပါးသောကြောင့် ၎င်းတို့သည် BJTs များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နိမ့်သောအပူရှိန်ဖြင့် မြင့်မားစွာ ထိရောက်မှု ရှိစေသည်။ ၎င်းတို့သည် BMS အတွင်းရှိ မြန်နှုန်းမြင့် နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ကူးပြောင်းခြင်းအက်ပ်များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။

အနှစ်ချုပ်-

  • BJT များ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော လက်ရှိအမြတ်ကြောင့် တိကျသော လက်ရှိထိန်းချုပ်မှု လိုအပ်သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။
  • MOSFETsသက်သာပြီး လျင်မြန်စွာ ကူးပြောင်းခြင်းအတွက် ၎င်းတို့အား ဦးစားပေး၍ ဘက်ထရီလုပ်ဆောင်ချက်များကို ကာကွယ်ရန်နှင့် စီမံခန့်ခွဲရန်အတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။BMS.
ငါတို့ကုမ္ပဏီ

တင်ချိန်- ဇူလိုင် ၁၃-၂၀၂၄

DALY သို့ ဆက်သွယ်ပါ။

  • လိပ်စာ- အမှတ် 14၊ Gongye တောင်လမ်း၊ Songshanhu သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာစက်မှုဥယျာဉ်၊ Dongguan မြို့၊ Guangdong ပြည်နယ်၊ တရုတ်နိုင်ငံ။
  • နံပါတ်- +86 13215201813
  • အချိန်- တစ်ပတ်လျှင် 7 ရက် နံနက် 00:00 မှ 24:00 နာရီအထိ
  • အီးမေးလ်- dalybms@dalyelec.com
အီးမေးလ်ပို့ပါ။